ADP32F03

产品介绍

产品概述

主要特点

应用领域

封装形式

　　一款高性能32位定点内核数字处理器，内置多种存储器和多种外设，具有高性能，高性价比的特点。

•采用高性能CMOS工艺
−主频120MHz（周期8.33ns）
−3.3V单电源
−集成型加电和欠压复位
•高性能32位CPU
−单周期32位x32位乘累加(MAC)运算
−单周期2个16位x16位乘累加(MAC)运算
−哈佛(Harvard)总线架构
−原子操作
−快速中断响应和处理
−统一寄存器编程模式
−4M线性程序/数据地址
−可使用C/C++和汇编语言高效率编程
•片内存储器资源
−闪存：128K x 16位闪存
−（4个8Kx16位和6个16Kx16位扇区）
−ROM ：128K x 16位ROM
−1K x 16 一次性可编程(OTP) ROM
−L0和L1：2块4Kx16位独立寻址SARAM
−H0：1块8K x 16位SARAM

−M0 和M1：2块1Kx16位独立寻址SARAM

•128位安全密钥/锁
− 保护闪存/ROM/OTP 和L0/L1 SARAM

− 防止固件逆向破解

•电机控制外设（PWM产生电路）

−事件管理器1(EM1)
−包括：2个16位定时器，3个数值比较器
−事件管理器2(EM2)

−包括：2个16位定时器，3个数值比较器，

3个捕获单元，1个正交编码电路。

•串行端口外设
−串行外设接口(SPI)

− 2个串行通信接口(SCI)，兼容通用异步收

发(UART) 标准

− 增强型控制器局域网络(eCAN)控制器，

集成片内eCAN驱动器

•12位12通道模数转换器(ADC)
− 2 x 6通道输入复用器
− 两个采样保持电路
− 单一/同步转换
− 快速转换速率：80ns/12.5MSPS
•强大的静电泄放(ESD)防护能力
− ESD人体模式(HBM): +4000V/-4000V
− 闩锁效应(Latch-up)触发电流: 400mA

−工业控制
−变频伺服
−电机驱动

− LQFP80

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